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SOT-89(5)
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资料
  • 描述:
    低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    1136
    5-24
    4.7385
    25-49
    4.3875
    50-99
    4.1418
    100-499
    4.0365
    500-2499
    3.9663
    2500-4999
    3.8786
    5000-9999
    3.8435
    ≥10000
    3.7908
  • 描述:
    低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    9461
    5-24
    4.9545
    25-49
    4.5875
    50-99
    4.3306
    100-499
    4.2205
    500-2499
    4.1471
    2500-4999
    4.0554
    5000-9999
    4.0187
    ≥10000
    3.9636
  • 封装:
    SOT-89
    描述:
    低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
    3453
    10-49
    1.0665
    50-99
    1.0112
    100-299
    0.9717
    300-499
    0.9480
    500-999
    0.9243
    1000-2499
    0.9006
    2500-4999
    0.8651
    ≥5000
    0.8572
  • 描述:
    PBSS5480X - 80V, 4A PNP low VCEsat (BISS) transistor
    2661
    5-24
    1.8630
    25-49
    1.7250
    50-99
    1.6284
    100-499
    1.5870
    500-2499
    1.5594
    2500-4999
    1.5249
    5000-9999
    1.5111
    ≥10000
    1.4904
  • 封装:
    SOT-89
    描述:
    通用 NPN 晶体管,Nexperia ### 双极晶体管,Nexperia
    1584
    5-24
    1.8225
    25-49
    1.6875
    50-99
    1.5930
    100-499
    1.5525
    500-2499
    1.5255
    2500-4999
    1.4918
    5000-9999
    1.4783
    ≥10000
    1.4580

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